磁気抵抗効果 | ASAHIネット

磁気抵抗効果に関するインターネット検索結果

巨大磁気抵抗効果 - Wikipedia

普通の金属の磁気抵抗効果（物質の電気抵抗率が磁場により変化する現象）は数%だが、 1nm程度の強磁性薄膜（F層）と非強磁性薄膜（NF層）を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗比を示すものがある。このような現象を巨大磁気抵抗効果と呼ぶ。 ...

トンネル磁気抵抗効果 - Wikipedia

トンネル磁気抵抗効果（TMR効果: tunnel Magneto-Resistance Effect）とは、 磁気により絶縁体膜のトンネル電流が変化する現象である。ハードディスクドライブの超高記録密度化や、MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）に応用されている。 ...

磁気抵抗効果 - Wikipedia

磁気抵抗効果（じきていこうこうか）とは外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。 この現象は最初にウィリアムトムソンによって1856年、発見された。この効果によってわずか5％変化するだけだった。後に普通の磁気抵抗と呼ばれる。 ...