磁気抵抗メモリ

磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英:Magnetoresistive Random Access Memory）とは磁気を利用した記憶素子で、Magnestic Random Access Memory、MRAMとも呼ばれる。N-Sという磁力極性を利用した記憶媒体（磁気ディスク装置や磁気テープ装置など）ではなく、電子のスピンをメモリ素子として利用するスピントロニクスを採用している。

「磁気抵抗メモリ」『フリー百科事典　ウィキペディア日本語版』（http://ja.wikipedia.org/）。2009年7月28日15時（日本時間）現在での最新版を取得。

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