強誘電体メモリ

強誘電体メモリ（きょうゆうでんたいメモリ、英:Ferroelectric Random Access Memory、FeRAM）は、強誘電体のヒステリシス（履歴現象）を利用し正負の自発分極を1と0に対応させた、不揮発性の半導体メモリ。強誘電体膜の分極反転時間は速い（1ns以下）ためDRAM並みの高速動作が期待できる。

FRAMとも呼ばれるが、これはRamtron社の登録商標である。

「強誘電体メモリ」『フリー百科事典　ウィキペディア日本語版』（http://ja.wikipedia.org/）。2009年7月28日15時（日本時間）現在での最新版を取得。

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