シリコン・オン・インシュレーター | ASAHIネット

シリコン・オン・インシュレーターに関するインターネット検索結果

シリコン・オン・インシュレーターとは 【SOI】 - 意味/解説/説明/定義 ...

シリコン・オン・インシュレーターとは：絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板とした半導体、および半導体技術。IBM社が開発した。SOI技術によって、プロセッサ基板上のトランジスタ層から絶縁層を超えて流れ出る電荷の停留を45%減らすことができる。

SOIとは 【シリコン・オン・インシュレーター】 (Silicon on Insulator ...

SOIとは：絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板とした半導体、および半導体技術。 IBM社が開発した。SOI技術によって、プロセッサ基板上のトランジスタ層から絶縁層を超えて流れ出る電荷の停留を45%減らすことができる。これにより、同じクロック ...

半導体の低消費電力技術 - Wikipedia

シリコン・オン・インシュレータ: SOIでは、シリコン結晶中に酸化シリコンの絶縁膜を形成することで、リーク電流を絶縁する。 ポーラスlow-k絶縁材料: 絶縁材料の中に空洞を持たせることで誘電率を下げる。 エアギャップ: 層間絶縁膜の代わりに配線層を ...